深圳市明佳达电子出售IGBT晶体管 STGW25M120DF3 1200 V、25 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT，全新原装，质量可保证！！！
概述
STGW25M120DF3该器件是一种 IGBT，采用先进的专有沟槽栅场停结构。该器件是 M 系列 IGBT 的一部分，代表了逆变器系统性能和效率之间的最佳平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，正 VCE（饱和）温度系数和紧密的参数分布使并联操作更加安全。
产品属性
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制造商
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STMicroelectronics
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产品型号
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描述
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IGBT 1200V 50A 375W
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批次
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新23+
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详细描述
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IGBT 沟槽型场截止 1200 V 50 A 375 W 通孔 TO-247-3
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产品属性
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IGBT 类型
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沟槽型场截止
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电压 - 集射极击穿（最大值）
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1200 V
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电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
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50 A
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电流 - 集电极脉冲 (Icm)
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100 A
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不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
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2.3V @ 15V，25A
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功率 - 最大值
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375 W
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开关能量
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850µJ（开），1.3mJ（关）
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输入类型
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标准
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栅极电荷
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85 nC
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25°C 时 Td（开/关）值
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28ns/150ns
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测试条件
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600V，25A，15欧姆，15V
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反向恢复时间 (trr)
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265 ns
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安装类型
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通孔
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封装/外壳
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TO-247-3
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供应商器件封装
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TO-247-3
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