英飞凌晶体管 IQE050N08NM5 N-通道功率MOSFET，采用 PQFN 3.3x3.3 源极底置封装

深圳市明佳达电子有限公司出售英飞凌功率MOSFET IQE050N08NM5 OptiMOS™ 低压功率 MOSFET 30 V 采用 PQFN 3.3x3.3 源极底置封装，具有行业领先的RDS(on) 和卓越的热性能

产品说明

IQE050N08NM5是英飞凌对创新性 源极底置 技术的延伸。 OptiMOS™ 5 30 V PQFN 3.3x3.3 源极底置具有 30 V 和极低 0.85 mOhm RDS(on)。革命性的源极底置技术使硅片倒置在元件内部。调整后，源极电位（而非漏极电位）即可通过导热垫连接到 PCB。这样就能提供多项优势，如增强热性能、高功率密度和改善布局。此外，更高的效率、更低的主动散热要求及有效的热管理布局有利于实现系统级优势。RDS(on) 新标杆和创新布局能力使 源极底置 概念在温度管理方面处于领先地位。源极底置产品组合解决了各种应用问题，包括 电机驱动、 电信、 SMPS  或 服务器。目前，有两种不同的产品尺寸采用了这项新技术：源极底置标准栅极和源极底置置中栅极（并行优化）。

特征描述

• 与现有技术相比，RDS(on) 大幅降低30%
• 采用 PQFN 封装技术后RthJC 改善
• 可获得标准栅极和置中栅极尺寸
• 优化后的新布局

优势

• 实现最高的功率密度和性能
• 卓越的热性能
• 优化布局，有效利用面积
• 简化采用置中栅极尺寸的多个 MOSFET 并行配置
• 降低 PCB 损失
• 降低寄生参数

潜在应用

• 电机驱动
• SMPS
• 服务器
• 电信
• OR-ing
• 电池管理

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