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供应存储器《CY14V101QS-SE108XI》NVRAM 1-Mbit (128KX8) 四路 SPI nvSRAM

深圳市明佳达电子有限公司进口原装供应存储器《CY14V101QS-SE108XI》NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 1Mb SPI 108 MHz 16-SOIC

制造商
Infineon Technologies
产品型号
描述
IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC

器件说明

CY14V101QS-SE108XI 1 Mbit (128K × 8) 四通道 SPI NVSRAM 耦合一个 1 Mbit NVSRAM ,具有一个 QPI 接口。 QPI 通过使用特定运算代码能够在单路(每个时钟周期使用一个I/O 通道传输一位)、双路(每个时钟周期使用两个 I/O 通道传输两位)、或四路(每个时钟周期使用四个 I/O 通道传输四位)配置中实现内存读写操作。 该内存采用 128Kbytes 结构,每个包含 SRAM 和非易失性 SONOS FLASH Quantum Trap内存单元。 SRAM 可提供不限次读写周期,而非易失性单元可提供数据储存。 断电时,数据自动从 SRAM 传输到非易失性单元(STORE 操作)。 上电时,数据可从非易失性单元(RECALL 操作)恢复到 SRAM。 用户还可通过 SPI 指令启动 STORE 和 RECALL 操作。

特性

  • 密度 1Mbit(128K × 8)
  • 带宽
  • 108MHz 高速接口
  • 读写速度 54MBps
  • 串行外设接口
  • 时钟极性和相位模式 0 和 3
  • 多输入/输出选项 - 单 SPI (SPI)、双 SPI (DPI) 和四 SPI (QPI)
  • 高可靠性
  • 无限次读取、写入和 RECALL 循环
  • 非易失性元件(SONOS FLASH 量子阱)一百万次存储周期
  • 数据保存:85 °C 下 20 年
  • 读取
  • 命令: 标准、快速、双 I/O 和四 I/O
  • 模式 突发包络、连续 (XIP)
  • 写入
  • 命令:标准、快速、双 I/O 和四输入/输出 标准、快速、双 I/O 和四 I/O
  • 模式:连续 突发包络
  • 数据保护
  • 硬件 通过写保护引脚 (WP)
  • 软件 通过写入禁用指令
  • 块保护: 状态寄存器位控制保护
  • 特殊指令
  • 存储/调用: 在 SRAM 和量子捕获器之间访问数据
  • 序列号: 8 字节客户可选 (OTP)
  • 识别码: 4 字节制造商 ID 和产品 ID
  • 从 SRAM 存储到非易失性 SONOS FLASH 量子捕获器
  • 自动存储: 通过一个小型电容器 (VCAP) 在断电时自动启动
  • 软件: 使用 SPI 指令 (STORE)
  • 硬件:HSB 引脚
  • 从非易失性 SONOS FLASH 量子捕获器调用到 SRAM
  • 自动调用:上电时自动启动
  • 软件: 使用 SPI 指令 (RECALL) 使用 SPI 指令 (RECALL)
  • 低功耗模式
  • 睡眠: 平均电流 = 280μA(+85°C 时
  • 休眠: 平均电流 = 8μA (+85°C 时
  • 工作电源电压
  • 核心 VCC:2.7V 至 3.6V
  • I/O VCCQ:1.71V 至 2.0V
  • 温度范围:-40°C 至 +85°C
  • 封装: 16 引脚 SOIC

公司长期以高价现金回收个人库存、工厂库存、海关扣押、寄售、代销、清仓等深度垂直服务,如您有多余的库存需要处理,欢迎把库存清单发送到:chen13410018555@163.com 或来电洽谈。

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