明佳达电子进口原装出售存储芯片 S25FL128SAGMFI000 NOR 闪存 128Mb 3V 133MHz 串行
| 型号 | S25FL128SAGMFI000 |
| 年份 | 23+ |
产品属性
| Infineon | |
| 产品种类: | NOR闪存 |
| SMD/SMT | |
| SOIC-16 | |
| S25FL128S | |
| 128 Mbit | |
| 2.7 V | |
| 3.6 V | |
| 100 mA | |
| SPI | |
| 133 MHz | |
| 16 M x 8 | |
| 8 bit | |
| Synchronous | |
| - 40 C | |
| + 85 C | |
| 结构: | Eclipse |
| 存储类型: | NOR |
| 湿度敏感性: | Yes |
| 产品类型: | NOR Flash |
| 速度: | 133 MHz |
| 工厂包装数量: | 2400 |
| 子类别: | Memory & Data Storage |
| 商标名: | MirrorBit |
| 单位重量: | 200.700 mg |
介绍
英飞凌科技 S25FL128S FL-S NOR 闪存器件是一款 2.7V 至 3.6V / 1.65V 至 3.6V VIO 伏非易失性存储器，采用 65 纳米 MIRRORBIT™ 技术。128-Mb S25FL128S FL-S NOR 采用带页编程缓冲器的 Eclipse 架构设计，允许用户在一次操作中编程多达 128 个字（256 字节），与上一代 SPI 编程或擦除算法相比，编程和擦除速度更快。该器件通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统的 SPI 单位串行输入和输出（Single I/O 或 SIO）、可选的两位（Dual I/O 或 DIO）和四位（Quad I/O 或 QIO）串行命令。
作为 FL-S 系列的一部分，S25FL128S FL-S NOR 支持 SIO、DIO 和 QIO 的双倍数据速率 (DDR) 读取命令，可在时钟的两个边沿上传输地址和读取数据。在 QIO 或 DDR-QIO 命令支持的更高时钟速率下使用 FL-S 器件，指令读取传输速率可与传统的并行接口异步 NOR 闪存相媲美，甚至更快，同时还能显著减少信号数量。S25FL128S FL-S NOR 不仅具有高密度性能，还具有各种嵌入式应用所需的灵活性和速度。英飞凌科技 S25FL128S FL-S NOR 是代码阴影、XIP 和数据存储的理想选择。
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