深圳市明佳达电子有限公司原装出售ST晶体管 STL33N60DM2 N沟道600 V、0.115 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封装
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制造商
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STMicroelectronics
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产品型号
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STL33N60DM2 |
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描述
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MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
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| 年份 |
23+
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详细描述
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表面贴装型 N 通道 600 V 21A（Tc） 150W（Tc） PowerFlat™（8x8）HV
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规格
| 产品种类: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| PowerFLAT-8x8-5 | |
| N-Channel | |
| 1 Channel | |
| 600 V | |
| 21 A | |
| 115 mOhms | |
| - 25 V, + 25 V | |
| 3 V | |
| 43 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 150 W | |
| Enhancement | |
| MDmesh | |
| STL33N60DM2 | |
| 配置: | Single |
| 下降时间: | 9 ns |
| 湿度敏感性: | Yes |
| 产品类型: | MOSFET |
| 上升时间: | 8 ns |
| 工厂包装数量: | 3000 |
| 子类别: | MOSFETs |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| 典型关闭延迟时间: | 62 ns |
| 典型接通延迟时间: | 17 ns |
| 单位重量: | 180 mg |
介绍
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 属于 MDmesh™ DM2 快恢复二极管系列。它具有极低的恢复电荷 (Qrr) 和时间 (trrr) 以及较低的 RDS(on)，因此适用于要求最苛刻的高效率转换器，也是桥式拓扑结构和 ZVS 相移转换器的理想选择。
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