大量供求美光 MT62F1G64D8WT-031 XT:B、MT62F1G64D8WT-031 AV XT:B LPDDR5 SDRAM 内存

深圳市明佳达电子有限公司大量供求美光 MT62F1G64D8WT-031 XT:B、MT62F1G64D8WT-031 AV XT:B LPDDR5 SDRAM 内存

介绍

Micron移动设备和人工智能 (AI) 用LPDDR5 DRAM设计用于满足5G网络的需求。  DRAM支持5G智能手机以高达6.4Gbps的峰值速度处理数据。这对于防止5 G数据瓶颈至关重要。LPDDR 5 DRAM可以满足这些要求，数据访问速度提升50%。与前几代产品相比，该器件的功效也增加20%以上。

Micron和Motorola合作，使Edge+能够达到5G网络速度，从而最大限度地提高处理能力以及实现高带宽内存和存储。Motorola Edge+采用业界领先的12GB Micron LPDDR5 DRAM存储器，为消费者提供顺畅、无滞后的体验。这些新手机利用更快的数据速度和更低的5G延迟来提高基于云的应用（如游戏和流媒体）的性能。

特性

• Micron先进的1y纳米节点，具有12GB容量，数据速度为6.4Gbps，改进了整体DRAM设计
• 带宽提升超过50%，提升5G和AI等下一代旗舰智能手机的性能
• 可在Edge+智能手机上实现下一代功能
• 与LPDDR4 相比，电源效率提高了20%以上，因此旗舰智能手机能够在充电之间运行更长时间

应用

• 智能手机
• AI
• 专业摄影
• 沉浸式娱乐
• 增强型游戏
• 客户端PC
• 网络

器件型号：MT62F1G64D8WT-031 XT:B、MT62F1G64D8WT-031 AV XT:B

产品种类：动态随机存取存储器

产品类型：DRAM

封装：FBGA

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