概述
ADMV1018BCCZ 是一款硅锗（SiGe）、微波、上变频器和下变频器，针对工作频率范围为24.0 GHz至29.5 GHz的5G无线电设计进行了优化。
上变频器提供两种频率转换模式。该器件能够从差分基带同相/正交（I/Q）输入信号直接转换为RF，也能够从复杂中频（IF）输入信号进行单边带上变频。差分基带I/Q输入路径可以禁用，2 GHz至9.5 GHz的调制单端复数中频信号可以馈入中频路径。然后，这些信号可以上变频至24.0 GHz至29.5 GHz，同时抑制不需要的边带，抑制幅度通常大于25 dBc。串行端口接口（SPI）提供正交相位调整，以实现最佳边带抑制。此外，当不需要进行载波馈通优化时，SPI接口允许关断输出包络检波器以降低功耗。
下变频器提供两种频率转换模式。该器件能够对差分基带I/Q输出信号进行直接正交解调，以及镜像抑制下变频至单端复数IF输出载波频率。I/Q基带输出共模电压可在0.75 V至2.15 V范围内编程，SPI提供正交相位微调，以优化I/Q解调性能。或者，可以禁用基带I/Q输出，I/Q信号可以通过片内有源巴伦传递，以提供2 GHz至9.5 GHz范围内的两路单端复数IF输出。当器件用作镜像抑制下变频器时，无用镜像项通常被抑制至25 dBc以上。ADMV1018提供平方律功率检波器，可以监控混频器输入端的功率电平。检波器输出通过外部自动增益控制（AGC）环路对RF数字步进衰减器（DSA）进行闭环控制。
ADMV1018上变频器和下变频器采用紧凑型散热增强型9 mm × 8 mm栅格阵列（LGA）封装。这种LGA封装能够从封装顶部对ADMV1018进行散热，从而实现最高效的散热。ADMV1018的工作温度范围为40°C至+95°C。
特性
RF 输入/输出频率范围：24 GHz 至 29.5 GHz，将 n257、n258 和 n261 频段集成在一个尺寸内
1.5 GHz RF 带宽
两种升频转换模式
从差分基带 I/Q 或具有优化 IF 范围的单端复合 IF 直接转换为 RF 单边带升频
两种降频转换模式
从 RF 到差分基带 I/Q 直接转换
镜像抑制降频转换或单端复合 IF
LO 双倍频器 (x2) 和四倍频器 (x4) 模式
匹配的 50Ω RF 信号和 LO 端口
优化的封装可改善热性能
符合 3GPP 规范
应用
• 5G应用
• 点对点微波无线电
• 雷达和电子战系统
• 仪器仪表和自动测试设备
联系人：陈先生
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