产品说明
LMG3522R050RQSR GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。
LMG3522R050 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 15V/ns 至 150V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。
特性
• 具有集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET
– 集成高精度栅极偏置电压
– 200V/ns FET 释抑
– 3.63.6MHz 开关频率
– 15-V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI
– 在 7.5V 至 18V 电源下工作
• 强大的保护
– 响应时间少于 100ns 的逐周期过流和锁存短路保护
– 硬开关时可承受 720V 浪涌
– 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
• 高级电源管理
– 数字温度 PWM 输出
• 顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开，可实现更低的电源环路电感
应用
• 开关模式电源转换器
• 商用网络和服务器 PSU
• 商用通信电源整流器
• 光伏逆变器和工业电机驱动器
• 不间断电源
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