明佳达出售 Renesas MOSFET 晶体管 NP30N06QDK-E1-AY 双 N 沟道功率 MOSFET 晶体管
产品概述
产品属性
产品类别： MOSFET
技术： Si 硅
封装/外壳：HSON-8
晶体管极性 N 沟道
通道数 1 通道
Vds - 漏极-源极击穿电压：60 V
Id - 持续漏极电流：30 A
Rds On - 漏极-源极电阻：14 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 20 V，+ 20 V
Vgs th - 栅极-源极阈值电压：2.5 V
Qg - 栅极电荷：25 nC
最高工作温度 + 175 C
Pd - 功率耗散： 59 W
通道模式： 增强
特性
超低导通电阻 RDS(on)1 = 14 mΩ MAX. (VGS = 10 V，ID = 15 A） RDS(on)2 = 21 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V，ID = 7.5 A)
低 Ciss： Ciss = 1500 pF TYP. (VDS = 25 V）
专为汽车应用设计，通过 AEC-Q101 认证
小尺寸封装 8 引脚 HSON 双通道
应用
高度集成的 100W USB-PD 充电器
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