深圳市明佳达电子全新原装出售罗姆碳化硅 MOSFET SCT3040KRC15 1200V N 沟道 SiC 功率 MOSFET
描述：
SCT3040KRC15是非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟槽栅结构SiC MOSFET。采用电源源极引脚和驱动器源极引脚分离的4引脚封装，能够充分地发挥出高速开关性能。尤其是可以显著改善导通损耗。与以往的3引脚封装（TO-247N）相比，导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35％的损耗。
特点：
1) 导通电阻低
2) 开关速度快
3) 快速反向恢复
4）易于并联
5）驱动简单
6）无铅电镀；符合 RoHS 规范
应用：
・太阳能逆变器
・直流/直流转换器
・开关模式电源
・感应加热
・电机驱动
主要规格
型号：SCT3040KRC15
封装：TO-247-4L
包装数量： 450
最小独立包装数量：30
包装形态： Tube RoHS
产品种类：MOSFET
技术：SiC
安装风格：Through Hole
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:：1.2 kV
Id-连续漏极电流：55 A
Rds On-漏源导通电阻：40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 4 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5.6 V
Qg-栅极电荷：107 nC
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：262 W
通道模式：Enhancement
配置：Single
下降时间：20 ns
正向跨导 - 最小值：8.3 S
湿度敏感性：Yes
上升时间： 21 ns
典型关闭延迟时间：27 ns
典型接通延迟时间：6 ns
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