明佳达电子供求【Nexperia/安世】采用LFPAK88封装的 PSMN2R3-100SSEJ N 沟道 100 V、2.3 mOhm MOSFET，具有增强型 SOA
1.说明
采用 LFPAK88 封装的 N 沟道增强型 MOSFET，符合 175 °C 的要求。它是 Nexperia 热插拔和软启动专用 MOSFET (ASFET) 的一部分。PSMN2R3-100SSEJ 采用高可靠性铜夹 LFPAK88 封装，具有极低的 RDSon 和增强的安全工作区性能。
PSMN2R3-100SSEJ 与最新的 "热插拔 "控制器相得益彰--其坚固性足以承受接通时的巨大浪涌电流，低 RDSon 可最大限度地降低 I2R 损耗，并在完全接通时提供最佳效率。
2.特点和优势
全面优化的安全工作区 (SOA)，可实现卓越的线性模式运行
低 RDSon，可降低 I2R 传导损耗
LFPAK88 封装，适合要求最高性能和可靠性的应用
3.应用
热插拔
负载开关
软启动
电子保险丝
公司还回收功率晶体管 PSMN2R3-100SSEJ N 沟道 MOSFET，只要原装正品，如代理商、贸易商、终端工厂等，有原厂外包装则优先，如您有多余的库存需要处理，欢迎把库存清单发送到：chen13410018555@163.com 或来电洽谈。
