描述
STGAP2SiCD属于SiC MOSFET双栅极驱动器，用于在每个栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间提供电隔离。栅极驱动器支持4 A的电流能力和轨到轨输出，适合中到高功率应用，如功率转换和工业电机驱动器逆变器。独立的输出引脚允许使用专用栅极电阻单独优化导通和关断，而Miller钳位功能可在半桥拓扑的快速换向期间避免栅极尖峰。该器件集成了保护功能：提供专用SD和BRAKE引脚，包含UVLO和热关断功能，便于轻松设计高度可靠的系统。在半桥拓扑中，联锁功能防止输出同时为高，避免错误的逻辑输入指令导致出现击穿情况。
| 制造商 | ST |
| 型号 | STGAP2SICDTR |
| 封装 | 36-SO |
功能
高压导轨达1200 V
驱动器电流能力：4 A灌/拉@25°C
dV/dt瞬态抗扰度±100 V/ns
总输入 - 输出传播延迟：75 ns
独立的电流拉灌选项，轻松实现栅极驱动配置
4 A Miller钳位
UVLO功能
可配置的联锁功能
专用SD和制动pins
栅极驱动电压高达26 V
具有迟滞的3.3 V，5 V TTL / CMOS输入
温度关闭保护
待机功能
6 kV电隔离
宽体SO-36W封装
应用
• 用于工业驱动、工厂自动化、家用电器和风扇的电机驱动器
• 600/1200 V逆变器
• 电池充电器
• 感应加热
• 焊接
• 不间断电源
• 电源装置
• DC-DC转换器
• 功率因数校正
