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英飞凌碳化硅MOSFET F4-33MR12W1M1H 1200 V CoolSiC™ MOSFET Fore PACK H桥模块

明佳达公司长期收购英飞凌碳化硅MOSFET F4-33MR12W1M1H 1200 V CoolSiC™ MOSFET Fore PACK H桥模块

描述

这是一款第一代1200 V,33 mΩ EasyPACK™ 1B CoolSiC™ MOSFET Fore PACK H桥模块,带NTC温度传感器,采用PressFIT压接技术。

特征描述

出色封装,高度达12 mm

先进的宽禁带(WBG)半导体材料

非常低的模块杂散电感

增强的第一代CoolSiC™ MOSFET

更大的栅极驱动电压范围

栅源电压:+23 V和-10 V 

工作结温(Tvjop):过载条件下高达175°C

PressFIT压接引脚

集成了NTC温度传感器

优势

优异的模块效率

系统成本优势

提升系统效率

降低散热需求

可实现更高的频率

提高功率密度

应用领域

不间断电源(UPS)

储能系统

电动汽车快速充电

太阳能系统解决方案

图表

回收具体流程:

1.您将积压的IC/模组库存进行简单分类,确定型号、品牌、生产日期、数量等.

2.请将库存清单通过传真或邮件方式发送到我们评估团队.

3.等待公司专业人士的采购报价,达成协议后双方商谈具体交易方式进行交付.

4.公司只回收正规渠道货源,如代理商、贸易商、终端工厂等,不接受不是正规渠道货源.

公司网址:www.szmjd.com

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点击数:0 | 更新时间:2024-07-15 13:43:13
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