N 沟道增强模式 C3M0016120D 碳化硅MOSFET 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET

深圳市明佳达电子最新推出N 沟道增强模式 C3M0016120D 碳化硅MOSFET 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET

C3M0016120D — 碳化硅功率 MOSFET C3MTM MOSFET 技术 N 沟道增强模式

特点

• C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术

• 高阻塞电压，低导通电阻

• 高速开关，低电容

•  快速本征二极管，低反向恢复 (Qrr)

• 无卤素，符合 RoHS 规范

应用

• 可再生能源

• 高压 DC/DC 转换器

• 开关模式电源

• 不间断电源 

优势

• 更高的系统效率

• 降低冷却要求

• 提高功率密度

• 提高系统开关频率

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