深圳市明佳达电子有限公司原装现货推出Wolfspeed第2代分立SiC MOSFET（C2M0280120D）碳化硅MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
特点
• C2MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术
• 高阻塞电压，低导通电阻
• 高速开关，低电容
• 快速本征二极管，低反向恢复 (Qrr)
• 无卤素，符合 RoHS 规范
描述
Cree C2M™ 碳化硅(SiC)功率 MOSFET 使工程师能够取代硅晶体管（IGBT），开发出具有极快开关速度和超低开关损耗的高压电路。Cree C2M碳化硅MOSFET搭配Cree Z-Rec®碳化硅肖特基二极管一起用于全碳化硅系统，使设计工程师能实现市面同等参数的硅功率器件上不可能达到的那种能效、尺寸和重量降低。
参数
| Wolfspeed | ||
| 产品种类: | 碳化硅MOSFET | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 9.9 ns | |
| 正向跨导 - 最小值: | 2.8 S | |
| Id-连续漏极电流: | 10 A | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| 安装风格: | Through Hole | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 封装 / 箱体: | TO-247-3 | |
| Pd-功率耗散: | 62.5 W | |
| 产品类型: | SiC MOSFETS | |
| Qg-栅极电荷: | 5.6 nC | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 280 mOhms | |
| 上升时间: | 7.6 ns | |
| 工厂包装数量: | 30 | |
| 技术: | SiC | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 10.8 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 5.2 ns | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 1.2 kV | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 10 V, + 25 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.8 V |
应用
• 可再生能源
• 高压 DC/DC 转换器
• 开关模式电源
• 不间断电源
有意者，请联系陈先生：
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