深圳市明佳达电子有限公司【供应分立半导体】进口原装 STGWA40HP65FB2 650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT，TO-247长引线封装
最新的 IGBT 650 V HB2 系列代表了先进的专有沟槽栅场停结构的发展。由于在低电流值时具有更好的 VCE（饱和）特性，HB2 系列在传导方面的性能得到了优化，同时还降低了开关能量。一个仅用于保护目的的二极管与 IGBT 反并联封装。因此，该产品专门设计用于最大限度地提高各种快速应用的效率。
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制造商
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STMicroelectronics
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系列
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HB2
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包装
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管件
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零件状态
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在售
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IGBT 类型
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沟槽型场截止
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电压 - 集射极击穿（最大值）
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650 V
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电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
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72 A
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电流 - 集电极脉冲 (Icm)
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120 A
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不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
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2V @ 15V，40A
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功率 - 最大值
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227 W
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开关能量
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410µJ（关）
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输入类型
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标准
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栅极电荷
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153 nC
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25°C 时 Td（开/关）值
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-/125ns
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测试条件
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400V，40A，4.7 欧姆，15V
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反向恢复时间 (trr)
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140 ns
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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等级
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资质
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安装类型
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通孔
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封装/外壳
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TO-247-3
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供应商器件封装
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TO-247 长引线
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