摘要：“半导体解决方案是实现气候目标的关键，英飞凌可以通过半导体解决方案，达到低碳化的效果。宽禁带半导体SiC、GaN，体积比较小，密度高，效能高，在解决气候问题的时候可以发挥最优效果。作为行业领导者，英飞凌凭借持续的技术革新与市场布局，在宽禁带半导体领域发挥着引领作用，致力于满足经济社会发展对于更高能效、更环保的半导体产品的需求。”
7月8日到10日，在慕尼黑上海电子展E4馆内，英飞凌展示了第三代半导体的产品解决方案。记者探访展台的时候，看到如下方案：一是新一代碳化硅技术CoolSiCTM MOSFET的相关产品；二是用于2000V CoolSiCTM MOSFET的相关产品。展台工作人员介绍，英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiCTM MOSFET Gen2技术，新产品与上一代产品相比，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，显著提升整体能效。
新一代碳化硅技术CoolSiCTM MOSFET
邱柏顺指出，在全球追求绿色能源，减碳大目标下，全球能源领域有三大趋势日益明显：1、电气化，任何东西都要变成电来驱动，什么样的半导体可以带来比较好的性能，2、使用绿色能源，包括光伏、风电；3、使用器件达到更加节能的效果，新器件需要更高功率，系统功耗更小，碳排放量更小。
邱柏顺分享最新Yole数据，到 2029 年，预计 WBG 将占全球电力电子市场的近 33%，其中 SiC 和 GaN 分别占 26.8% 和 6.3%。从消费电子、数据中心到新能源汽车带动GaN市场需求的增长，2029年GaN的市场容量会达到22亿美元，受到工业和汽车应用的推动，SiC的市场容量2029年将达到100亿美元。
引用地址：重磅！英飞凌发布新一代碳化硅器件方案，助力低碳化和数字化目标达成！本文原创是电子发烧友，转载请注明以上来源。
