概述：
DRV8300UDIPWR 是一款 100V 三相半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300UD 使用集成自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。GVDD 用于为低侧 MOSFET 生成栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750mA 的峰值拉电流和 1.5A 的灌电流。
相位引脚 SHx 能够承受显著的负电压瞬变；而高侧栅极驱动器电源 BSTx 和 GHx 能够支持更高的正电压瞬变 (125V) 绝对最大值，从而提高系统的鲁棒性。较小的传播延迟和延迟匹配参数可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定为低侧和高侧提供欠压保护。
| 制造商 | TI |
| 型号 | DRV8300UDIPWR |
| 封装 | TSSOP-20 |
特性
• 100V 三相半桥栅极驱动器
– 驱动 N 沟道 MOSFET (NMOS)
– 栅极驱动器电源 (GVDD)：5-20V
– MOSFET 电源 (SHx) 支持高达 100V 的电压
• 集成自举二极管 (DRV8300UD 器件)
• 支持反相和同相 INLx 输入
• 自举栅极驱动架构
– 750mA 拉电流
– 1.5A 灌电流
• 支持由高达 15 节串联电池供电的应用
• 支持标准 MOSFET 的更高 BSTUV（8V 典型值）和 GVDDUV（7.6V 典型值）阈值
• SHx 引脚具有低漏电流（小于 55µA）
• 绝对最大 BSTx 电压高达 125V
• SHx 引脚瞬态负压可达 -22V
• 内置跨导保护
• 针对 QFN 封装型号，可通过 DT 引脚调节死区时间
• 针对 TSSOP 封装型号，固定插入 200ns 死区时间
• 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入（绝对最大值为 20V）
• 4ns 典型传播延迟匹配
• 紧凑型 QFN 和 TSSOP 封装
• 具有电源块的高效系统设计
• 集成保护特性
– BST 欠压锁定 (BSTUV)
– GVDD 欠压 (GVDDUV)
应用
• 电动自行车、电动踏板车和电动汽车
• 风扇、泵和伺服驱动器
• 无刷直流 (BLDC) 电机模块和 PMSM
• 无线园艺和电动工具、割草机
• 无线真空吸尘器
• 无人机、机器人和遥控玩具
• 工业和物流机器人
