明佳达供应原装STD20NF06LAG - 汽车级N沟道60 V、32 mOhm典型值、24 A STripFET II功率MOSFET，DPAK封装
介绍：
STD20NF06LAG功率MOSFET是使用意法半导体独特的STripFET工艺开发的，该工艺专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作高级高效隔离式DC-DC转换器的主开关，适合电信和计算机应用，以及具有低栅极电荷驱动要求的应用。
详细参数
制造商：STMicroelectronics
产品种类：MOSFET
技术：Si
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：60 V
Id-连续漏极电流：24 A
Rds On-漏源导通电阻：40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：2.5 V
Qg-栅极电荷：13 nC
最小工作温度：- 55°C
最大工作温度：+ 175°C
Pd-功率耗散：60 W
通道模式：Enhancement
资格：AEC-Q101
商标名：STripFET
系列：STD20NF06LAG
封装：Reel
封装：Cut Tape
封装：MouseReel
配置：Single
下降时间：12 ns
产品类型：MOSFETs
上升时间：50 ns
晶体管类型：1 N-Channel
典型关闭延迟时间：20 ns
典型接通延迟时间：11 ns
单位重量：360 mg
