B1621PM2FDGUK-U是一款面向嵌入式应用的 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz DRAM。
| 制造商 | Kingston |
| 型号 | B1621PM2FDGUK-U |
| 类型 | SDRAM - LPDDR4 |
| 存储容量 | 16 Gbit |
| 封装 | FBGA-200 |
说明：
Kingston 的离散式低功率双倍数据传输率 4 (LPDDR4) 动态随机存取存储器 (DRAM) 旨在满足嵌入式应用的需求，并提供具有较低功耗的高速选项。LPDDR4 是专为智慧型手机、平板电脑、笔记型电脑等行动装置的低功耗而设计的 DRAM。LPDDR4 以更高的频率运作，可实现更快的数据存取、更佳的多工处理能力，同时消耗更少的电量，这对于延长可携式装置的电池续航力至关重要。此存储器技术融合了晶片上终端 (ODT)、深度省电模式、更有效率的讯号介面等功能，可在不影响效能的情况下减少能源消耗，使其成为现代行动运算平台的理想选择。
应用：
智慧型手机与平板电脑
手持式装置
笔记型电脑和超薄笔电
穿戴式装置
汽车
虚拟实境 (VR) 和扩增实境 (AR)
数位相机和摄录影机
网路设备
工业和嵌入式系统
主要特性：
• 双数据速率架构：每个时钟周期两次数据传输
• 高速数据传输由 8 位预取流水线架构
• 双向差分数据选通（DQS 和 /DQS）随数据传输/接收，用于在接收器处收集数据
• DQS 针对 READ 与数据边沿对齐；针对 WRITE 与数据中部对齐
• 差分时钟输入（CK_t 和 CK_c）
• DLL 将 DQ 和 DQS 转换与 CK 转换对齐
• 数据脱敏 (DM) 在数据选通的上升沿和下降沿写入数据
• 支持写入周期冗余代码 (CRC)
• 支持用于读取和写入的可编程前置码
• 可编程突发长度 4/8，含 nibble sequential 和 interleave 模式
• 突发长度动态切换
• MRS 选择的驱动长度
• 支持动态片内终结
• 两个终止状态，例如可由 ODT 引脚切换的 RTT_PARK 和 RTT_NOM
• 支持异步 RESET 引脚
• 支持 ZQ 校准
• 支持写入均衡化
• 此产品符合 RoHS 指令要求
• 内部 Vref DQ 电平生成可用
• 支持 TCAR（温控自动刷新）模式
• 支持 LP ASR（低功耗自动自刷新）模式
• 支持命令地址 (CA) 奇偶校验（命令/地址）模式
• 单 DRAM 寻址 (PDA)
• 支持精细粒度刷新
• 支持 Geardown 模式（1/2 速率、1/4 速率）
• 支持自刷新中止
• 支持最大节能模式
• 应用了列分组，相同或不同列组存取中列的 CAS 至 CAS 延迟（tCCD_L、tCCD_S）可用
• 针对数据脱敏和 DBIdc 功能的 DMI 引脚支持
• 低功耗
• 每存储体刷新
• 完全符合 JEDEC 低功耗双数据速率 4 (LPDDR4) 规范
• 局部自刷新 (PASR)
o 存储体脱敏
o 内置温度传感器的
内置温度传感器的
o 自动温度补偿的自刷新 (ATCSR)
o 支持所有存储体自动刷新和定向每存储体自动刷新
• 双数据速率架构；每一个时钟周期两次数据传输
• 差分时钟输入（CK_t 和 CK_c）双向差分数据选通 (DQS_tandDQS_c) 在上升和下降 CK_t 沿输入的命令；引用 DQS_t 的两个边沿的数据和数据脱敏
• 针对数据脱敏和 DBIdc 功能的 DMI 引脚支
