9月10日消息，台积电计划在2024年9月底前引进其首台高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机。
光刻机是芯片制造过程中的核心设备。今年4月，ASML发布了其最新一代极紫外线(EUV)光刻设备Twinscan NXE:3800E，该工具投影透镜拥有0.33的数值孔径，旨在满足未来几年对于尖端技术芯片的制造需求，包括3nm、2nm等小尺寸节点。ASML还计划进一步推出另一代低数值孔径(EUV)扫描仪Twinscan NXE:4000F，预计将于2026年左右发布。不过，此前消息称，ASML截至2025上半年的高数值孔径EUV（High-NA EUV）设备订单由英特尔全部包揽。因高数值孔径EUV设备产能较低，台积电、三星等竞争对手需要等到2025下半年后才能获得设备。
2023年12月，ASML就向英特尔开始交付全球首台High NA EUV光刻机的首批模块，并已于今年4月18日完成组装。
今年8月，英特尔又宣布，全球第二台ASML研发的High NA（高数值孔径）EUV光刻机即将进入其位于美国奥勒冈州的晶圆厂。这款设备的价值高达3.5亿欧元（约27.47亿人民币），将有助于生产更先进的、性能更强的芯片，甚至有可能达到1nm级、埃米级芯片的水平。
对于新的光刻设备，台积电曾宣称可利用现有光刻设备就可以生产2纳米芯片，但随后不久又改称将采购2纳米EUV光刻机，意味着其终究无法通过技术创新，突破下一代芯片工艺。
值得一提的是，台积电此次购入价格可能远低于原定的3.5亿欧元的单台报价。ASML同意以折扣价向台积电出售High-NA EUV设备的原因主要是因为台积电是其超级VIP客户，ASML给予了很大的让步。这一让步包括全力协助台积电进机、调校与技术支援等，以加速上线时间点。此外，台积电的态度也发生了戏剧性的转变，由原先对新款High NA EUV光刻机价格的犹豫，转为积极寻求合作。
引进High-NA EUV设备后，台积电的生产能力和成本效率将进一步得到强化，也将使其在晶圆代工领域继续保持领先优势，并进一步巩固其在全球半导体制造市场的地位。
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