深圳市明佳达电子有限公司【供应，收购】英飞凌氮化镓晶体管 GS-065-030-6-LL-MR CoolGaN™晶体管 700 G4，具有极高的效率和可靠性。
描述：GS-065-030-6-LL-MR是一款增强型硅基氮化镓功率晶体管，具有大电流、高电压击穿和高开关频率等特性。
采用底部冷却 TOLL 封装，结壳热阻极低，非常适合要求苛刻的大功率应用。这些特性结合在一起，确保了极高的功率开关效率。
产品属性：
制造商: Infineon
产品种类: GaN 场效应晶体管
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TOLL-11
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 700 V
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻: 58 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 7 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.6 V
Qg-栅极电荷: 6.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 5.7 ns
最大工作频率: > 1 MHz
最小工作频率: 0 Hz
湿度敏感性: Yes
产品类型: GaN FETs
上升时间: 6.3 ns
技术: GaN-on-Si
典型关闭延迟时间: 10.8 ns
典型接通延迟时间: 8.2 ns
明佳达【供应，回收】英飞凌氮化镓晶体管：
GS-065-008-6-L-MR
GS-065-004-6-L-MR
GS-065-011-1-L-TR
GS-065-011-6-LR-MR
GS-065-014-6-LR-MR
GS-065-014-6-L-MR
GS-065-011-6-L-MR
GS-065-030-6-LL-MR
GS-065-011-2-L-TR
GS-065-018-2-L-MR
GS-065-030-6-LT-MR
GS-065-030-6-LT-TR
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