深圳市明佳达电子有限公司【回收】英飞凌碳化硅 FF55MR12W1M1HB70 1200 V CoolSiC™ MOSFET半桥模块
描述：1200 V和55 mΩ EasyDUAL™ 1B CoolSiC™ MOSFET半桥模块，采用压接技术和氮化铝陶瓷基板。
特性
- VDSS = 1200 V
- IDN = 15 A / IDRM = 30 A
- 低电感设计
- 低开关损耗
- 集成的安装夹使安装坚固
- PressFIT 压接技术
- 集成 NTC 温度传感器
- 低热阻的氮化铝 (AlN)衬底
优势
• 最高栅极-源极间电压扩展至+23 V和-10 V
• 过载条件下的工作结温Tvjop高达175°C
• 最优性价比，帮助降低系统成本
• 实现高开关频率，通过优化降低了冷却需求
应用
• 高频开关应用
• DC/DC 变换器
• 电机传动
• UPS 系统
相关英飞凌碳化硅 MOSFET 模块：
FF5MR20KM1H
FF5MR20KM1HP
FF750R17ME7B11
FF800R12KE7E
FF8MR12W1M1HB70
FF8MR12W1M1HS4PB11
TT340N22KOF
TT590N18KOF
IDYH25G200C5
F411MR12W2M1HB70
F411MR12W2M1HPB76
FF450R12KE7E
IPDQ60R020CFD7
TD340N22KOF
IDYH40G200C5
IDYH50G200C5
IDYH80G200C5
T2200N16H100
公司只回收正规渠道货源，如代理商、贸易商、终端工厂等，如您有多余的库存需要处理，欢迎来电联系我们！
