产品介绍：
得益于意法半导体的ART Accelerator™以及一级高速缓存 (L1 CACHE)，不论是从内部Flash存储器还是外部存储器执行程序代码，STM32F722VET7微控制器均能达到Cortex-M7内核卓越的理论性能：在216 MHz fCPU下达到1082 CoreMark/462 DMIPS。
STM32F7系列采用Cortex-M7内核：
用于内核、外设和存储器互连的AXI和多AHB总线矩阵
最大16 KB +16 KB的I缓存和D缓存
最大2 MB的内部Flash存储器，在部分设备上具有同步读写功能
两个通用DMA控制器和专用DMA控制器用于以太网（部分型号）、高速USB OTG接口和Chrom-ART图形加速器（部分型号）
外设速度独立于CPU速度（双时钟支持），从而使系统时钟变化不影响外设工作
更多外设，例如带有SPDIF输出支持的两个串行音频接口 (SAI)，带有SPDIF输入支持的三个I²S半双工接口，带有专用供电的两个USB OTG接口和双模Quad-SPI Flash存储器接口
采用分散结构的大容量SRAM：
高达512 KB通用数据存储器，其中包括高达128 KB的紧密耦合数据存储器 (DTCM)，用于处理时间关键数据（栈、堆......）
16 KB的紧密耦合指令存储器 (ITCM)，用于时间关键程序
4 KB的备份SRAM，用于按最低功耗模式保存数据
部分型号具有保护代码执行功能 (PC-ROP)
部分型号具有片上USB高速PHY
STM32F722VET7的规格：
核心处理器：ARM® Cortex®-M7
内核规格：32-位
速度：216MHz
连接能力：CANbus，I2C，IrDA，LINbus，MMC/SD，QSPI，SAI，SPI，UART/USART
外设：掉电检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT
I/O 数：82
程序存储容量：512KB（512K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：-
RAM 大小：256K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.7V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 16x12b SAR; D/A 2x12b
振荡器类型：外部，内部
工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：100-LQFP（14x14）
封装/外壳：100-LQFP
基本产品编号：STM32F722
