深圳市明佳达电子有限公司英飞凌推出新型功率模块 FF2600UXTR33T2M1 CoolSiC™ MOSFET 半桥模块，3.3 kV，2.5 mΩ，采用 .XT 互联技术，用于实现交通脱碳。
特点
• 电气特性
- VDSS = 3300 V
- IDN = 750 A / IDRM = 1500 A
- Tvj,op = 175°C
- 开关损耗低
- 高电流密度
- 低电感设计
• 机械特性
- 高功率密度
- 封装 CTI > 600
- 高爬电距离和间隙
- AlSiC 基板可提高热循环能力
- 氮化铝基板，热阻低
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制造商
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Infineon Technologies
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产品型号
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描述
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表面贴装型 N 通道 120 V 23A（Ta），224A（Tc） 3W（Ta），283W（Tc） PG-HSOF-8-1
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产品属性
| N-Channel | |
| 3.3 kV | |
| 720 A | |
| 3.1 mOhms | |
| - 7 V, + 20 V | |
| 3.45 V | |
| - 40 C | |
| + 175 C | |
| XHP 2 | |
| 配置: | Dual |
| 下降时间: | 76 ns |
| 产品类型: | MOSFET Modules |
| 上升时间: | 150 ns |
| 商标名: | XHP CoolSiC |
| 典型关闭延迟时间: | 280 ns |
| 典型接通延迟时间: | 490 ns |
潜在应用
• 牵引驱动装置
• 大功率转换器
• 高频开关应用
