深圳市明佳达电子供应 英飞凌 IGD03N120S7 1200V 3A IGBT7 S7 晶体管
IGD03N120S7 是硬开关 1200 V、3 A 单 TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 分立器件，采用 TO-252 封装，具有低 VCEsat，可在目标应用中实现极低的传导损耗。
产品类别：IGBT
技术：硅
封装/外壳：PG-TO252-3
配置：单
集电极-发射极电压 VCEO 最大值：1.2 kV
集电极-发射极饱和电压：1.65 V
25 C 时的连续集电极电流：10 A
Pd - 功率耗散：45 W
最低工作温度：- 40 C
最高工作温度：+ 150 C
栅极-发射极泄漏电流：100 nA
VCE = 1200 V
IC = 3 A
Tvj = 150°C 时的低饱和电压 VCEsat = 2 V
短路稳固性 8 µs
宽范围 dv/dt 可控性
工业电机驱动和控制
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