12月9日消息，根据韩国媒体报道，三星电子在其半导体研究所中已经成功完成了其突破性400层堆栈NAND Flash闪存技术的开发。
三星电子计划于2025年2月在美国举行的ISSCC（国际固态电路会议）2025上发布其1Tb容量400层TLC NAND，其量产预计将于2025年下半年开始，但业界预测，如果加快进程，生产可能会在第二季度末开始。
三星于11月开始将这项先进技术转移到平泽P1厂的量产线上。这一成绩意味着三星将处于NAND Flash闪存技术的领先地位，领先于主要竞争对手SK海力士量产的321层堆栈NAND Flash闪存。
据悉，三星的400层NAND采用了VCT（垂直通道晶体管）结构，这一创新可以减少内存单元之间的干扰，并更高效地提升内存容量。这种结构有助于提高数据传输速度和整体性能。
同时，为了克服传统NAND芯片在高层数堆叠时外围设备受损的问题，三星引入了创新的键合技术。这种技术将存储单元和外围电路分别在不同的晶圆上制造，然后通过键合技术将它们重新连接。这种方法不仅提高了存储密度，还改善了散热性能，使得400层NAND芯片能够有效管理大量数据。
不过，三星还需大幅提升400层NAND良率，比如随着层数增加，材料偏差和生产良率降低成为主要问题。同时，层数增加之后，字线间距减小，电干扰增加，需要采取措施减轻这种干扰。而且蚀刻工艺变得越来越复杂，需要更高的精度和更少的蚀刻次数以降低制造成本。
三星的目标是在2026年推出400层NAND，并计划在2030年进一步发展到超过1000层的NAND技术些技术进。这将大幅提升存储密度和性能，满足数据中心、人工智能和高性能计算等领域的需求。
公司网站：www.szmjd.com
