明佳达最新推出英飞凌 BSC010N04LST OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 具有更高的温度额定值，可提高稳健性。
采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 不仅采用了最新技术，还在封装温度方面进行了改进。这一新的组合实现了更高的功率密度和更强的稳健性。
与额定值较低的器件相比，175°C TJ_MAX 特性可在更高的工作结温下提供更大功率，或在相同的工作结温下提供更长的使用寿命。此外，安全工作区（SOA）也提高了 20%。这种新的封装特性非常适合电信、电机驱动和服务器等应用。
参数： BSC010N04LST
IDpuls 最大： 1168 A
安装： SMD
工作温度 最小值 最大值： -55 °C 175 °C
最大功率： 167 W
封装： SuperSO8 5x6
引脚数： 8 引脚
极性： N
QG（典型值 @10V) ：95 nC
Qgd： 15 nC
RDS（导通）（@10V）最大值： 1 mΩ
Rth： 0.5 K/W
RthJA 最大： 50 K/W
RthJC 最大： 0.9 K/W
VDS 最大： 40 V
VGS(th) 最小值 最大值： 1.48 V 1.2 V 2 V
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