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IGBT晶体管_IKW75N65EH5_TRENCHSTOP™ 5 H5(高速5)IGBT

深圳市明佳达电子有限公司出售英飞凌IGBT晶体管_IKW75N65EH5_TRENCHSTOP™ 5 H5(高速5)IGBT  IGBT 沟道 650 V 90 A 395 W 通孔 PG-TO247-3

IKW75N65EH5描述:

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5(高速5)IGBT是一款高速器件,设计具有终极效率,适用于开关速率大于30kHz的应用。该款高速5 IGBT采用TRENCHSTOP™ 5技术,集成了RAPID 1快速柔性反向并联二极管。

典型应用包括UPS、焊接变流器、太阳能电池组列逆变器和中高频开关变频器。

特性

  • 采用高速H5技术,具有如下优势:
  • 超低损耗开关
  • 硬开关和谐振拓扑中的出色效率
  • 支持对上一代IGBT进行即插即用型更换
  • 650V击穿电压
  • 低栅极电荷
  • 最高结温:175°C
  • 按照JEDEC标准符合目标应用要求
  • 引脚无铅电镀
  • 符合RoHS指令

规格

系列: TrenchStop™  

包装: 管件  

零件状态: 在售  

IGBT 类型: 沟道  

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V  

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 90 A  

电流 - 集电极脉冲 (Icm) :300 A  

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V @ 15V,75A  

功率 - 最大值: 395 W  

开关能量: 2.3mJ(导通),900µJ(关断)  

输入类型: 标准  

栅极电荷: 160 nC  

25°C 时 Td(开/关)值:28ns/174ns  

测试条件: 400V,75A,8 欧姆,15V  

反向恢复时间 (trr) :92 ns  

工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)  

安装类型: 通孔  

封装/外壳: TO-247-3  

供应商器件封装: PG-TO247-3 

IKW75N65EH5

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点击数:0 | 更新时间:2025-01-15 14:19:28
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