深圳市明佳达电子有限公司大量现货供应Infineon（IRFH5215TRPBF）150V 单 N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET
| 制造商 | Infineon |
| 型号 | IRFH5215TRPBF |
| 封装 | PQFN |
规格
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Ta），27A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：58 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：32 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1350 pF @ 50 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），104W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PQFN（5x6）
封装/外壳：8-VQFN 祼焊盘
基本产品编号：IRFH5215
应用领域
IRFH5215TRPBF器件适用于多种应用场景，包括但不限于：
直流电机：由于其低导通电阻和高电流能力，适用于高效率的直流电机驱动。
电池管理系统：用于电池充放电控制，提供稳定的电流输出。
逆变器：在逆变器中提供高效率的开关功能。
DC-DC转换器：在电源管理系统中实现高效的电压转换。
总结
IRFH5215TRPBF是一款由Infineon生产的MOSFET器件，采用PQFN 5x6封装，属于N沟道功率MOSFET。Infineon 的 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS（on）和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合需要高性能和耐用性的低频应用。全面的产品组合适用于广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 转换器。
