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供应 英飞凌汽车 MOSFET IAUT165N08S5N029 OptiMOS™-5 汽车 MOSFET 晶体管

深圳市明佳达电子有限公司 供应 英飞凌汽车 MOSFET IAUT165N08S5N029 OptiMOS™-5 汽车 MOSFET 晶体管

 
IAUT165N08S5N029 的产品说明
IAUT165N08S5N029 是 80V 2.9 mΩ OptiMOS™-5 汽车 N 沟道 MOSFET 晶体管。
 
 
IAUT165N08S5N029 的规格
晶体管极性:N 沟道
通道数:1 通道
Vds - 漏极-源极击穿电压:80 V
Id - 漏极连续电流:165 A
Rds On - 漏极-源极电阻:2.9 mOhms
Vgs - 栅极源极电压:- 20 V,+ 20 V
Vgs th - 栅极-源极阈值电压:2.2 V
Qg - 栅极电荷:90 nC
最低工作温度:- 55 C
最高工作温度:+ 175 C
Pd - 功率耗散:167 W
 
IAUT165N08S5N029 的特性
N 沟道 - 增强模式
通过 AEC 认证
MSL1 峰值回流温度高达 260°C
175°C 工作温度
绿色产品(符合 RoHS 规范)
超低 Rds(on)
100% 雪崩测试
 
IAUT165N08S5N029 的应用
48 V 至 12 V DC-DC 转换器
用于电动汽车的高压 DC-DC 转换器
HVAC 控制模块
LED 灯条和标牌
 
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点击数:0 | 更新时间:2025-02-19 14:49:00
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