ON NVGS3443T1G 4.4A 20V 单 P 沟道功率 MOSFET 晶体管
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NVGS3443T1G 4.4A 20V单P沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于各种电子设备的电源管理系统中。
NVGS3443T1G 是汽车用 20V、4.4A、65mΩ、单 P 沟道功率 MOSFET 晶体管。NVGS3443T1G 是汽车用 20V、4.4A、65mΩ、单 P 沟道功率 MOSFET 晶体管。
晶体管极性：P 沟道
通道数：1 通道
Vds - 漏极-源极击穿电压：20 V
Id - 持续漏极电流：4.4 A
Rds On - 漏极-源极电阻：65 mOhms
Vgs - 栅极源极电压：- 12 V，+ 12 V
Vgs th - 栅极-源极阈值电压：1.5 V
Qg - 栅极电荷：15 nC
最低工作温度：- 55 C
最高工作温度：+ 150 C
Pd - 功率耗散：2 W
通道模式：增强
单位重量：20 毫克
漏极-源极电压 (Vdss)： 20V - 这表示 NVGS3443T1G 器件可安全承受的最大漏极至源极电压
连续漏极电流 (Id)： 在 25°C 环境温度下，NVGS3443T1G 的电流最高可达 3.1A，在某些条件下最高可达 4.4A5
导通电阻 (Rds(on))： 在 Vgs=4.5V 和 Id=4.4A 时最大为 65mΩ - 该参数直接影响器件的传导损耗。
栅极阈值电压 (Vgs(th))： 最大 1.5V（Id=250μA 时测得）
栅极电荷 (Qg)： Vgs=4.5V 时最大 15nC - 该参数会影响器件的开关速度
输入电容 (Ciss)： Vds=5V 时最大 565pF5
值得注意的是，NVGS3443T1G P 沟道 MOSFET 的导通电阻通常高于同等的 N 沟道器件，这是因为空穴（P 沟道多数载流子）的电阻高于电子（N 沟道载流子）。这是由于空穴（P 沟道中的多数载流子）的迁移率低于电子（N 沟道中的多数载流子）的物理特性造成的。
超低 RDS（开）
效率更高，可延长电池寿命
微型 TSOP6 表面贴装封装
通过 AEC-Q101 认证和 PPAP 认证
符合 RoHS 规范
NVGS3443T1G P 沟道功率 MOSFET 的结构通常采用垂直导电设计，以优化电流能力和导通电阻。与 N 沟道 LDMOS（横向双扩散 MOSFET）不同，功率 P 沟道 MOSFET 通常采用垂直导电结构，但导电类型相反。
在 NVGS3443T1G 中，基本单元结构包括
N 型衬底：作为器件的支撑衬底
P 型外延层：生长在 N 型衬底上，形成漏极区
N 型体区域：通过扩散过程在 P 型外延层中形成
P+ 源区：通过高浓度 P 型掺杂在 N 型体区内形成
栅极结构：由多晶硅栅极和覆盖在沟道区顶部的栅极氧化层组成
这种垂直结构允许电流从顶部的源极垂直流向底部的漏极（通过衬底引线），充分利用了 NVGS3443T1G 芯片的整个横截面积，从而降低了导通电阻，提高了电流处理能力。
便携式电子设备：包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，利用其体积小、栅极驱动要求低的优势
电源管理系统：用于电源路径控制、反向极性保护和 ORing 功能，充分利用 P 沟道 MOSFET 在高端开关中的优势
工业控制系统：小型电机驱动、继电器替代和低功率执行器控制
消费电子：数码相机、便携式音频设备和家用电器等的电源开关
汽车电子：为座椅调节和天窗控制等低功耗汽车应用提供符合标准的版本
手机和无绳电话
PCMCIA 卡
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