HMC7911LP5E：17.0 GHz至20.0 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上变频器
产品简介
HMC7911LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器，采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。该器件提供14 dB的小信号转换增益和25 dBc的边带抑制性能。
HMC7911LP5E采用RF放大器工作，前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。HMC7911LP5E为混合型单边带上变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。
此外，HMC7911LP5E采用32引脚、5 mm × 5 mm的LFCSP封装，这种封装形式使得器件更加紧凑，适合高密度表面贴装应用。
HMC7911LP5E混频器具有以下特点：
转换增益：18 dB（典型值）
边带抑制：30 dBc（典型值）
针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率：2 dBm（典型值）
输出三阶交调截点(OIP3)：33 dBm（典型值）
RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：10 dBm（典型值）
IF输入端2倍LO泄漏：-25 dBm（典型值）
RF回波损耗：13 dB（典型值）
LO回波损耗：10 dB（典型值）
32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装
应用领域
HMC7911LP5E适用于多种应用场景，包括：
点对点和点对多点无线电
军用雷达、EW和ELINT
卫星通信
传感器
技术规格
产品：HMC7911LP5E
类型：上变频器
射频：17.5 GHz to 19.7 GHz
中频：DC to 3.5 GHz
LO频率：7.1 GHz to 11.6 GHz
增益：14 dB
NF—噪声系数：22 dB
工作电源电压：3.3 V, 5 V
工作电源电流：110 mA, 225 mA
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：QFN-32
工作温度：- 40°C 至 + 85°C
OIP3 - 三阶截点：31 dBm
Pd-功率耗散：1.7 W
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