明佳达作为全球领先的电子元器件分销商，长期稳定供应三星半导体（Samsung Semiconductor） 高性能 UFS（Universal Flash Storage）存储芯片，其中 KLUEG8UHGC-B0E1（256GB UFS 3.1） 以其卓越的读写速度、低功耗及高可靠性，广泛应用于智能手机、平板电脑、车载信息娱乐系统（IVI）、工业物联网（IIoT）等高端嵌入式存储场景。
1.产品概述
KLUEG8UHGC-B0E1是三星半导体推出的 256GB UFS 3.1 嵌入式存储芯片，采用先进的V-NAND 3D闪存技术，提供超高速数据传输、低延迟和优异的能效比，适用于对存储性能要求严苛的智能设备。
2.关键特性
高速读写性能：
顺序读取速度：高达 2100 MB/s
顺序写入速度：高达 1200 MB/s
相比eMMC 5.1，随机读写性能提升 3倍以上，大幅优化系统响应速度。
低功耗设计：
支持 深度睡眠（Deep Sleep）模式，待机功耗极低，延长移动设备续航。
高可靠性：
支持 ECC纠错、磨损均衡（Wear Leveling）、坏块管理（Bad Block Management），确保数据长期稳定存储。
工作温度范围 -25°C 至 +85°C，适应工业及车载环境需求。
紧凑封装：153-ball FBGA 封装（11.5mm × 13mm），节省PCB空间，适合超薄设备设计。
3. 典型应用
KLUEG8UHGC-B0E1适用于以下领域：
智能手机/平板电脑：加速应用加载、4K视频录制及多任务处理。
车载系统：满足IVI、ADAS高带宽数据存储需求，符合车规级可靠性标准。
工业物联网（IIoT）：适用于工业级平板、HMI设备，确保恶劣环境下的稳定运行。
AI边缘计算设备：支持高速数据缓存，提升AI推理效率。
4. 如何采购？
如需KLUEG8UHGC-B0E1（256GB UFS 3.1存储芯片） 样品或批量采购，请联系明佳达电子：
电话：+86 13410018555（陈先生）
邮箱：chen13410018555@163.com
