深圳市明佳达电子供应意法半导体STH13N120K5-2AG——汽车级1200V N沟道功率MOSFET，630 mOhm典型值，H2PAK-2封装
产品描述
STH13N120K5-2AG是意法半导体推出的 高可靠性功率MOSFET，采用 H2PAK-2封装，符合 AEC-Q101 车规认证，适用于严苛的汽车和工业环境。该器件基于 MDmesh™ K5技术，优化了开关损耗和导通电阻，使其成为 高效率电源转换、电机驱动和逆变器 的理想选择。
关键特性
✅ 高耐压 & 大电流
漏源电压（VDS）：1200V
连续漏极电流（ID）：12A（@25°C）
脉冲漏极电流（ID_pulse）：48A
✅ 低导通电阻（RDS(on)）
典型值：630mΩ（@VGS=10V）
最大值：690mΩ（@6A, 10V）
✅ 快速开关性能
栅极电荷（Qg）：44.2nC（@10V）
上升时间（tr）：11ns
下降时间（tf）：18.5ns
✅ 高可靠性封装
H2PAK-2（表面贴装），优化散热与PCB布局
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
✅ 符合汽车级标准
AEC-Q101认证，适用于 车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、电机控制等应用。
明佳达供应优势
✅ 原厂正品保障：所有 STH13N120K5-2AG 均来自原厂渠道，确保100%品质可靠。
✅ 现货库存：支持 48小时快速交付，缩短客户研发周期。
✅ 技术支持：提供数据手册、参考设计、热管理方案，助力客户优化产品性能。
如有需求，请联系明佳达电子：
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