STMicroelectronics STGW30NC120HD - N沟道1200 V、30 A超快PowerMESH IGBT
概述
STGW30NC120HD是基于ST专利的条形布局，采用最新的高压技术，设计的一款先进的1200 V IGBT器件，具有卓越的性能。该IGBT经过优化，适用于高频应用，以实现非常高的开关性能（降低 tfall），同时保持低电压降。
功能
软开关应用的理想选择
低导通损耗
高电流能力
低导通压降(Vcesat)
低栅极电荷
高输入阻抗(电压驱动)
主要特性
低导通损耗：STGW30NC120HD具有低导通损耗，适用于需要高效能转换的应用场景。
低导通电压降：在25°C时，导通电压为2.75V，保证了低功耗运行。
高电流能力：电流为30A，适合需要高电流输出的应用。
高输入阻抗：采用电压驱动，适合高频应用。
低栅极电荷：减少了开关过程中的能量损耗。
性能参数
STGW30NC120HD具有以下主要参数：
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.75V @ 15V，20A
功率 - 最大值：220 W
开关能量：1.66mJ（导通），4.44mJ（关断）
输入类型：标准
栅极电荷：110 nC
25°C 时 Td（开/关）值：29ns/275ns
测试条件：960V，20A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：152 ns
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247-3
基本产品编号：STGW30
应用领域
STGW30NC120HD适用于各种需要高效能和高频率切换的应用场景，如感应加热、电机控制、电源管理等。其优异的性能使其在工业自动化、电力电子设备、新能源汽车等领域有广泛的应用前景。
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