LTC7897RUFD：140V、低 IQ、同步降压型控制器，具有可编程 5V 至 10V 门极驱动
一、概述
LTC7897RUFD是一款高性能、100% 占空比、同步降压型、DC/DC 开关稳压器控制器，可驱动 N 通道同步硅金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET) 的所有功率级别。同步整流可提高效率、减少功率损耗并通过降低热要求来简化应用设计。
LTC7897RUFD的宽输入和输出电压范围不仅可以实现高降压比，还可以实现宽范围的正负电压转换。LTC7897RUFD的栅极驱动器具有 15V 绝对最大额定值，可提供稳健性，具有可调驱动级别，可提供灵活性，并具有死区时间，可优化应用。
LTC7897RUFD的栅极驱动电压可以选择性地在 5V 至 10V 之间调节，以允许使用逻辑级或标准阈值电压 MOSFET。可以利用外部电阻器优化 LTC7897RUFD的死区时间，以获得裕度或定制应用以提高效率并允许高频操作。
二、性能特点
LTC7897RUFD开关控制器的主要特点包括：
宽 VIN 范围：4V 至 135V（最大绝对电压 140V）
宽输出电压范围：0.8V ≤ V输出电压 ≤ 135V（绝对最大值 140V）
可调栅极驱动电平：5V 至 10V（OPTI-DRIVE，绝对最大值 15V）
可调驱动器电压欠压锁定
自适应或电阻可调死区时间
可调的开/关驱动器强度的分流输出栅极驱动器
100% 占空比运行
低操作 I Q：5μA（48V<输入 至 3.3V输出）
展频(SSFM)
可编程频率（100kHz 至 2.5MHz）；
可同步频率（100kHz 至 2.5MHz）；
28 引脚 (4 mm x 5 mm) QFN 封装
三、广泛的应用场景
LTC7897RUFD适合用于多种应用场景，包括：
工业电力系统
军事/航空电子
电信电源系统
四、关键参数
输出类型：晶体管驱动器
功能：降压
输出配置：正
拓扑：降压
输出数：1
输出阶段：1
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：4V ~ 135V
频率 - 开关：100kHz ~ 2.5MHz
占空比（最大）：100%
同步整流器：是
时钟同步：是
串行接口：-
控制特性：限流，空载时间控制，频率控制，相位控制，电源良好，软启动，跟踪
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：28-QFN
五、联系方式
如需获取LTC7897RUFD开关控制器的专属报价，可通过以下方式在线联系明佳达电子：
电话：13410018555（陈先生）
邮箱：chen13410018555@163.com
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