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供应(ADI)LT4422AV:一款集成P通道MOSFET的28V、4A理想二极管

 LT4422AV是一款高性能的理想二极管,具有多种功能和优势。

 

一、概述

LT4422AV是一款集成P通道MOSFET的理想二极管,工作范围为1.9V至28V。与肖特基二极管相比,启用该二极管后,其15mV正向电压调节特性可大幅降低功耗,同时提高操作裕量和效率。

 

LT4422AV能够轻松实现多个电源的ORing功能,从而增加系统可靠性并防止反向导通。非工作状态下,LT4422AV可在输出端阻断高达28V的电压,而且漏电流小于1μA(典型值),性能比典型肖特基二极管提高了好几个数量级,可以有效延长电池寿命。

 

快速OUT至IN反向偏置检测可大幅减少反向电流,防止输入电池意外充电。当LT4422AV处于关断或反向偏置状态时,开漏STATUS输出会被拉低。

 

二、产品特性

LT4422AV具有以下主要特性:

内部50mΩ电源路径

宽工作电压范围:1.9V至28V

反向电流保护

低静态电流:10μA

快速负载阶跃响应:3μs

低关断状态电流:500nA

在二极管-OR应用中平滑切换

10引脚(3mm×2mm×0.75mm)LDFN封装

 

三、应用场景

LT4422AV适用于多种应用场景,包括但不限于:

肖特基二极管替代品

电池和壁式适配器二极管 ORing

备用电池二极管 ORing

工业和消费类手持应用

四、性能参数

LT4422AV的关键参数包括:

类型:N+1 ORing 控制器

FET 类型:P 通道

比率 - 输入:输出:1:1

内部开关:是

延迟时间 - 开启:3 µs

延迟时间 - 关闭:15 µs

电流 - 输出(最大值):4A

电流 - 供电:10 µA

电压 - 供电:1.9V ~ 28V

应用:通用

工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:10-LDFN

 

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