深圳市明佳达电子有限公司 — 原装现货供应Wolfspeed 分立式碳化硅 MOSFET C3M0075120K 1200 V / 75 mΩ，N沟道增强型模式
C3M0075120K产品说明
Wolfspeed C3M0075120K 是一款1200V N沟道增强型碳化硅（SiC）MOSFET，采用TO-247-4封装，导通电阻（RDS(on)）仅75mΩ，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。该器件基于Wolfspeed第三代SiC MOSFET技术，具有低开关损耗、高开关频率等优势，广泛应用于电动汽车充电、光伏逆变器、工业电源、储能系统等领域。
C3M0075120K符合RoHS标准，工作温度范围-55°C ~ +150°C，并具备低栅极电荷（Qg=51nC），可显著降低驱动损耗，提高系统效率。
关键特性
✅ 1200V高耐压：适用于800V高压平台应用，如电动汽车快充和工业电源。
✅ 75mΩ低导通电阻：减少传导损耗，提高能效。
✅ 高速开关性能：上升/下降时间仅11ns，支持高频电源设计。
✅ 低栅极电荷（51nC）：降低驱动损耗，优化系统效率。
✅ TO-247-4封装：增强散热能力，支持高功率应用。
✅ 符合RoHS标准：无铅环保设计，适用于全球市场。
规格参数
制造商：Wolfspeed
型号：C3M0075120K
封装：TO-247-4
通道类型：N沟道增强型
漏源电压（VDS）：1200V
连续漏极电流（ID）：30A（Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：75mΩ（@VGS=15V, ID=20A）
栅极电荷（Qg）：51nC（@VGS=15V）
输入电容（Ciss）：1350pF（@VDS=1000V）
开关时间（tr/tf）：11ns
最大功耗（PD）：113.6W（Tc=25°C）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
4. 典型应用场景
（1）电动汽车充电（EV Charging）
800V高压快充桩：C3M0075120K的高耐压和低损耗特性可提升充电效率，减少50%的器件用量。
车载充电机（OBC）：适用于双向充电系统，提高能量回收效率。
（2）光伏逆变器 & 储能系统
太阳能MPPT优化：SiC MOSFET的高开关频率可减少无源器件体积，提高功率密度。
储能DC/DC转换：支持高效率双向能量转换，降低系统温升。
（3）工业电源 & 电机驱动
伺服驱动器：低开关损耗优化PWM控制性能。
高压DC/DC电源：适用于数据中心、通信基站等高效电源设计。
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