深圳市明佳达电子有限公司现货供应 AOS AO7800 20V 双 N 沟道 MOSFET 芯片，原装正品，品质可靠。
产品概述
AO7800采用先进的沟槽技术，在紧凑的SOT363封装中实现卓越的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷及低至1.8V的栅极电压工作特性。该器件适用于多种应用场景，包括负载开关、低电流逆变器及低电流DC-DC转换器。产品具备静电放电(ESD)保护功能。
特性
VDS (V) = 20V
ID = 0.9 A (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 300mW (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 350mW (VGS = 2.5V)
RDS(ON) < 450mW (VGS = 1.8V)
产品属性
| 产品型号 | AO7800 | |
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零件状态
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在售
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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配置
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2 N-通道（双）
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FET 功能
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逻辑电平门
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漏源电压（Vdss）
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20V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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900mA
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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300 毫欧 @ 900mA，4.5V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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900mV @ 250µA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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1.9nC @ 4.5V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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120pF @ 10V
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功率 - 最大值
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300mW
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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封装/外壳
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6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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供应商器件封装
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SC-70-6
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采购信息
如果您对AOS AO7800 MOSFET芯片感兴趣，或有具体的采购需求，可以通过以下方式联系明佳达电子：
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