深圳明佳达电子有限公司 供应 TI REF5050IDR低噪声超低漂移宽输入电压精密电压基准
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REF5050IDR——一款低噪声、超低漂移、宽输入电压范围的精密电压基准芯片，为高精度数据采集系统提供稳定可靠的电压基准。
该
REF5050IDR芯片支持吸电流和源电流工作模式，具备卓越的线性稳压和负载稳压特性，可在严苛应用环境中保持优异性能。
REF5050IDR是德州仪器REF50xx系列中的5V输出精密电压基准芯片，以其低噪声、超低漂移及宽输入电压范围著称。
该芯片采用适用于表面贴装技术(SMT)的SOIC-8封装，核心性能参数包括：
高精度输出：提供固定5V输出电压，初始精度达0.05%，确保系统测量准确性。
超低温度漂移：具备3ppm/°C的低温度系数，在-40°C至125°C宽温域内维持稳定输出。
低噪声特性：噪声水平低至3µVp-p（0.1Hz至10Hz），为高精度数据采集系统提供纯净基准电压。
宽输入电压范围：支持5.2V至18V输入电压，适应多样化供电环境。
强驱动能力：提供±10mA输出电流，具备卓越的线性稳压与负载稳压性能。
REF5050IDR采用德州仪器专有设计技术，实现卓越的精度、稳定性和噪声性能。支持吸电流与源电流双向工作模式，展现出非凡的长期稳定性——前1000小时漂移仅22 ppm（SOIC-8封装）。
REF5050IDR采用先进架构与技术，在同类产品中脱颖而出。其卓越的长期稳定性体现在：初始1000小时漂移仅22ppm（SOIC-8封装），该稳定性对要求长期可靠性的应用至关重要。
REF5050IDR具备高输出电流能力（±10mA），可直接驱动多个负载并减少外部缓冲器需求。其典型线性稳压精度达1ppm/V，负载稳压精度为30ppm/mA，确保在多样化工作条件下维持电压稳定性。
REF50xx系列提供三种性能等级：增强级(EI)、高级(I)和标准级(AI)。作为高级产品，REF5050IDR在精度、温度漂移和噪声方面实现最佳平衡，适用于大多数高精度应用。
REF5050IDR的优化内部架构融合了带隙基准核心、高性能输出放大器及精密修整电路，通过这些元件的集成实现了卓越的性能指标。
REF5050IDR关键应用领域：
REF5050IDR适用于各类高精度应用场景，尤其在要求严苛测量精度与系统稳定性的领域表现突出。
在精密数据采集系统中，
REF5050IDR为模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）提供基准电压，确保转换精度。其低噪声与低漂移特性直接影响系统分辨率和准确度。
工业过程控制系统同样受益于REF5050IDR的高精度与稳定性。在温度剧烈波动且环境复杂的应用场景中，该芯片宽广的工作温度范围与低温度系数特性，可保障长期测量的可靠性。
医疗仪器对元件精度与可靠性要求极高，
REF5050IDR的特性完全满足此类应用需求。它在患者监护设备、诊断仪器及实验室仪器中发挥着关键作用。
此外，REF5050IDR还适用于压力与温度变送器、实验室及现场仪器、半导体测试设备。其宽输入电压范围支持直接连接电池或现场电源，显著提升应用灵活性。
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