深圳市明佳达电子有限公司元转正品出售：
IR IRF6216 IRF6216TRPBF P-CH 150V 2.2A 金属氧化物场效应管
描述
| 制造商 |
IR |
|---|---|
| 制造商零件编号 |
IRF6216TRPBF |
| 描述 |
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC |
| 湿气敏感性等级 （MSL） | 1（无限） |
| 详细描述 | 表面贴装型-P-通道-150V-2.2A（Ta）-2.5W（Ta）-8-SO |
规格
| FET 类型 | P 通道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 2.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 240 毫欧 @ 1.3A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 49nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1280pF @ 25V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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