明佳达电子有限公司全新原装NXP出售《PSMN085-150K》标准级N沟道增强模式的场效应晶体管
| 类型 | 制造商 | 型号 | 批次 | 封装 |
| 场效应晶体管 | NXP | PSMN085-150K | 11+ | SOP8 |
概述
SiliconMAX标准级N沟道增强模式的场效应晶体管（FET）使用TrenchMOS技术的塑料包装。本产品经过设计并符合以下条件仅在计算，通信，消费和工业应用中使用。
特点和优点
低导通损耗
导通电阻
适用于高频
快速切换的应用
特点
规格
| FET 类型 | N 通道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 3.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 85 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 40nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1310pF @ 25V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
应用
电脑主板
DC-DC转换器
开关电源
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实物图：PSMN085-150K
