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IR IRFH3702 IRFH3702TRPBF MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN

深圳市明佳达电子原装供应IR IRFH3702 IRFH3702TRPBF MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN  现货出售   价格优势

型号 IRFH3702TRPBF
批次 11+
封装 PQFN

规格

FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 16A(Ta),42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.1 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1510pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.8W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-PQFN(3x3)
封装/外壳 8-PowerVDFN

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IRFH3702TRPBF

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点击数:0 | 更新时间:2020-08-06 14:26:11
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