明佳达供应和回收晶体管 IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1 1200V 40mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET
描述：采用TO247-3封装的1200V 40mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
产品型号：IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1
品牌：Infineon
批号：21+
封装：TO-247-3
特征描述
出类拔萃的开关损耗和导通损耗
高阈值电压，Vth > 4 V
0V关断栅极电压，实现简单的栅极驱动
宽栅源电压范围
坚固的低损耗体二极管，适用于硬开关
关断损耗受温度影响小
.XT扩散焊技术，可实现一流的热性能
优势
最高效率
减少冷却工作
更高频率的运行
增加功率密度
降低系统的复杂程度
应用领域
不间断电源（UPS）
电池化成
电动汽车快速充电
电机控制和驱动
太阳能系统解决方案
长期回收碳化硅MOSFET IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1，只需原装，翻新散新均不考虑，有原厂外包装则优先，有大量库存需处理的请联系我们！
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