明佳达公司供求英飞凌1200V 沟槽型碳化硅MOSFET（IMZA120R040M1H、IMZA120R040M1HXKSA1）全新原装 工厂库存 价格优势 欢迎咨询qq1668527835
英飞凌推出的、采用TO247-4封装的SiC MOSFET 可降低栅极电路上的源极寄生电感效应，从而实现更快的开关速度和更高的效率。
供应型号：IMZA120R040M1H、IMZA120R040M1HXKSA1
批次：最新21+
描述：采用TO247-4封装的1200V 40mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。
规格
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss） 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 225A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 9.9 毫欧 @ 108A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.2V @ 47mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 220 nC @ 18 V
Vgs（最大值） +20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 9170 nF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 750W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
封装/外壳 TO-247-3
应用领域
电池化成
电动汽车快速充电
电机控制和驱动
电源
太阳能系统解决方案
公司回收电子呆料库存：电子元器件、5G模组、新能源模组、5G芯片、基站IC、人工智能IC、网络IC、蓝牙IC、手机IC、汽车IC、通信IC、家电IC、电源ic、驱动IC、物联网IC和模组芯片、连接器、射频模块、存储器、继电器、MOS管、单片机、二三级管等产品。
长期高价收购英飞凌沟槽型碳化硅MOSFET（IMZA120R040M1H、IMZA120R040M1HXKSA1）
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1、您将积压的IC/模组库存进行简单分类，确定型号、品牌、生产日期、数量等；
2、请将库存清单通过传真或邮件方式发送到我们评估团队；
3、等待公司专业人士的采购报价，达成协议后双方商谈具体交易方式进行交付；
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