明佳达公司大量供应 PMZ290UNE2 N 沟道小信号MOSFET，AP3P010YT P 沟道功率MOSFET，全新原装，质量保证，价格优势！
产品概述
1、PMZ290UNE2 N沟道MOSFET是一款增强模式场效应晶体管 (FET)，具有低阈值电压和快速开关功能。
参数
|
FET 类型
|
N 通道
|
|
|
技术
|
MOSFET（金属氧化物）
|
|
|
漏源电压（Vdss）
|
20 V
|
|
|
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
|
1.2A（Ta）
|
|
|
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
|
1.5V，4.5V
|
|
|
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
|
320 毫欧 @ 1.2A，4.5V
|
|
|
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
|
950mV @ 250µA
|
|
|
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
|
1.4 nC @ 4.5 V
|
|
|
Vgs（最大值）
|
±8V
|
|
|
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
|
46 pF @ 10 V
|
|
|
FET 功能
|
-
|
|
|
功率耗散（最大值）
|
350mW（Ta），5.43W（Tc）
|
|
|
工作温度
|
-55°C ~ 150°C（TJ）
|
|
|
安装类型
|
表面贴装型
|
PMZ290UNE2 MOSFET采用1.0mm × 0.6mm x 0.48mm无引线小型DFN1006-3 (SOT883) SMD塑料封装，并采用沟槽式MOSFET技术。应用包括继电器驱动器、高速线路驱动器、低侧负载开关和开关电路。
2、AP3P010YT 是一款P 沟道增强型功率 MOSFET。
参数
品牌介绍
APEC 先进的 PowerMOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。PMPAK®3x3 封装专为直流-直流转换器应用而设计，外形更小巧，仅为 1.0 毫米，带背面散热片。
公司首页：www.szmjd.com
