一、器件描述
英飞凌科技CoolGaN™ 600V栅极注入技术 (GIT) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有快速导通和关断速度,开关损耗最小。该系列GaN增强模式功率晶体管采用ThinPAK 5x6表面贴装封装,非常适合用于需要无需散热片的紧凑型器件的应用。英飞凌科技CoolGaN™ 600V GIT HEMT具有5mm x 6mm2小尺寸和1mm薄型高度,因此非常适合用于实现高功率密度。
二、特性
三、产品应用
明佳达电子供求氮化镓晶体管 IGLR60R340D1XUMA1、IGLR60R190D1XUMA1 表面贴装型 N 通道 600 V MOSFET
产品型号:IGLR60R340D1XUMA1、IGLR60R190D1XUMA1
批次:新23+
封装:TSON-8
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