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供求氮化镓晶体管 IGLR60R340D1XUMA1、IGLR60R190D1XUMA1 增强模式晶体管,常关型开关

一、器件描述

英飞凌科技CoolGaN™ 600V栅极注入技术 (GIT) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有快速导通和关断速度,开关损耗最小。该系列GaN增强模式功率晶体管采用ThinPAK 5x6表面贴装封装,非常适合用于需要无需散热片的紧凑型器件的应用。英飞凌科技CoolGaN™ 600V GIT HEMT具有5mm x 6mm2小尺寸和1mm薄型高度,因此非常适合用于实现高功率密度。

二、特性

  • 增强模式晶体管,常关型开关
  • 采用小尺寸无引线SMD封装的GaN HEMT
  • GaN定制认证
  • 超快开关速度
  • 无反向恢复电荷
  • 能够反向导通
  • 低栅极电荷、低输出电荷
  • 出色的换向耐受性
  • 提高系统效率
  • 提高功率密度
  • 支持更高工作频率
  • 系统成本降低
  • 降低EMI
  • 符合JEDEC标准(JESD47和JESD22),适用于工业应用
  • 无铅、无卤,符合RoHS指令

三、产品应用

  • 用于基于半桥拓扑的工业、电信和数据中心的SMPS(用于硬开关和软开关的半桥拓扑,例如图腾柱PFC、高频LLC)
  • 低功耗SMPS
  • 充电器和适配器

明佳达电子供求氮化镓晶体管 IGLR60R340D1XUMA1IGLR60R190D1XUMA1 表面贴装型 N 通道 600 V MOSFET

产品型号:IGLR60R340D1XUMA1IGLR60R190D1XUMA1 

批次:新23+

封装:TSON-8

PG-TSON-8-6

公司首页:www.szmjd.com

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点击数:0 | 更新时间:2024-03-04 11:08:51
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