概述
意法半导体STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高压N沟道功率MOSFET，具有齐纳保护功能和100%雪崩。该MOSFET还具有超低栅极电荷、±30V栅极-源极电压、83W总功耗、全球RDS(ON) x 面积以及全球品质因数（ FOM）。该MOSFET的工作结温范围为-55°C至150°C，采用DPAK（TO-252）A2型封装。典型应用包括反激式转换器、LED照明以及平板电脑和笔记本电脑。
特性
超低栅极电荷
全球RDS(ON) x 面积
全球品质因数（FOM）
±30V栅极-源极电压
总功率耗散：83W
应用
反激式转换器
LED照明
平板电脑和笔记本电脑适配器
详细参数
STD80N450K6：
产品种类：MOSFET
RoHS： 详细信息
技术：Si
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：800 V
Id-连续漏极电流：10 A
Rds On-漏源导通电阻：450 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压：3 V
Qg-栅极电荷：17.3 nC
最小工作温度：- 55°C
最大工作温度：+ 150°C
Pd-功率耗散：83 W
通道模式：Enhancement
封装：Reel
封装：Cut Tape
封装：MouseReel
商标：STMicroelectronics
配置：Single
下降时间：12.7 ns
产品类型：MOSFETs
上升时间：4 ns
工厂包装数量：2500
子类别：Transistors
典型关闭延迟时间：28.8 ns
典型接通延迟时间：10.6 ns
