供应 ISSI 【IS34ML04G168-BLI】NAND闪存 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA

ISSI 的闪存器件非常适合需要高可靠性的性能导向应用。

ISSI 的 IS34ML 和 IS34MW 系列 NAND产品为嵌入式市场补充了串行和并行NOR产品。ML (3.0 V) 系列和 MW (1.8 V) 系列 SLC NAND器件的密度分别为1Gb、2Gb和4Gb。

SLC NAND闪存器件非常适合需要高可靠性的性能导向应用。SLC 每个存储单元存储 1 位数据，并提供快速读写功能。这些产品适用于要求 1 位或 4 位 ECC 算法的系统，并提供 100 K 周期的耐久性和 10 年的保留期。

类型:：NAND Flash

封装/箱体:：VFBGA-63

存储容量:：4 Gbit

接口类型:：Parallel

组织:：512 M x 8/256 M x 16

定时类型:：Asynchronous

数据总线宽度:：8 bit, 16 bit

电源电压:：2.7 V 至 3.6 V

电源电流—最大值:：30 mA

工作温度:：- 40°C 至 + 85°C

有源读取电流（最大值）:：30 mA

特性：

供电电压：

VCC: 2.7 V 至 3.6 V（IS34ML 系列）

VCC: 1.7 V 至 1.95 V（IS34MW 系列）

灵活的 x8 或 x16 选择

均匀的高性价比块

块擦除时间：3 ms（典型值）

自动读操作

硬件数据保护

100 K 编程/擦除周期

数据保持时间：10 年

支持每 512 字节 1 位或 4 位 ECC

工业温度范围：-40°C 至 +85°C

扩展温度范围：-40°C 至 105°C

行业标准封装：48 引脚 TSOP 和 63 引脚 (9 mm x 11 mm BGA)